Динамическое подпороговое дефектообразование в узкозонных полупроводниках АiiiВv

Существуют целый ряд экспериментальных этих необратимой взаимодействия лазерного излучения с узкозонных полупроводников АIIIВV [1-3]. Эти итоги наводят на мысль, что в полупроводниках при облучении излучением рубинового лазера появляются дефекты локального вроде с разными энергиями активации и отжига. Эти дефекты имеют n-тип проводимости.

Энергетическая зависимость для распределения n-центров в приповерхностном слое представлена ​​на рис.1 кривой 1 [1]. Эти n-центры обусловлены дефектами (кривая 2, рис. 1). Также, они имеют низкую подвижность, практически на порядок меньшую свободных носителей. При термообработке число носителей в слое уменьшается. Хотя часть n-центров для довольно высоких интенсивностей облучения сохраняет собственную резистентность при T = 4000c в INSB и при T = 8000c в INAS.

Нужно подчеркнуть, что концентрация оптически генерируемых дефектов так велика, что при средних дозах ионной имплантации дополнительное облучение импульсами рубинового лазера приводит к увеличению числа дефектов (кривая 3, рис. 1), при том, что облучение импульсами лазера на СО2 приводит к отжигу дефектов (кривая 4 рис. 1) и к активации внедренной примеси [1].

При этом концентрационный профиль находится в зависимости от кристаллографической ориентации [2, 3] (рис. 2). Это обусловлено тем, что кристаллы INSB имеют существенный процент ковалентных контактов, что и приводит к анизотропии дефектообразования.

В спектрах оберненорозсияних заряженных частиц в режиме каналирования зарегистрирована генерация дефектов решетки в приповерхностном слое [1-3] кристаллов INSB под действием излучения рубинового лазера с плотностью энергии в импульсе I0 = 0,018   0,078 Дж  см-2 до уровня, который регистрируется методике. Относительное изменение дефектности  D изображена кривой 2 на рис.1. Сопоставляя данные  D = f (I0) и для Ns = f2 (I0) (где Ns - слойная концентрация), просто видеть, что генерация n-центров обусловлено дефектообразования под действием лазерного излучения лежит в обл. своего поглощения. Уменьшение дефектности наблюдается при облучении с

Более полно относительное изменение дефектности от плотности энергии в импульсе характеризует кривая 2 на рис.1, которая демонстрирует, что при близком к в слое достигается наименьший уровень дефектности, регистрируемой методике.

Добавить комментарий: