Главная  |  Карта сайта  |  Контакты  
 
Главная История науки и техники Ученые Психология, социология, политология Экономика Культурология, философия, религия Юридические науки. Правоведение Наука и техника Физика и механика
 

Динамическое подпороговое дефектообразование в узкозонных полупроводниках АiiiВv

05-06-2020

где - концентрация соответствующих центров рассеяния и сечение рассеяния (поглощения) кванта света соответственно, - количество разных по собственной природе центров рассеяния; - знак суми.Для монохроматического излучения знаком суммы в (1) возможно пренебречь, в этой ситуации, естественно, мы имеем 1 механизм поглощения (рассеяния). Для своего поглощения света количество центров рассеяния равно атомной плотности решетки. Для INSB  4  1021cм-3, для рубинового лазера = 2  105 сантиметров-1. В этом случае сечение эффективного рассеяния (поглощения) одного кванта света равна 5  10-17cм-2. Для качественной оценки эффекта анизотропии поглощения лазерного излучения воспользуемся схемой решетки, приведенной на рис.4. Взаимосвязь 1 - чисто ковалентная, так как для INSB и INAS его длина равна сумме ковалентных радиусов соответствующих заряженных частиц. Для INSB длина связи 1 равен 2,8  10-8 cм. Угол м/у направлением {110} и связью 1 равен 37,5 . Значение "длины рассеяния" при подобных допущениях равно 7  10-9 cм. Эффективная длина ковалентной связи 1 для кристаллографических путей {110} и {111} равна 1,56  10-8 сантиметра и 2,33  10-8 сантиметра соответственно. Для сферической, эллиптической и гантельный конфигураций эффективное сечение рассеяния меняется в пределах (4 - 6)  10-17 сантиметра-2. Меньшее значение сечения рассеяния чем квадрат "действенной длины" объясняется огромными размерами заряженных частиц In и Sb [5]. Эта оценка коэффициента анизотропности поглощения (рассеяния) излучения с учетом действенной поверхностной плотности ковалентных контактов является следующей. Приблизительно же такое соотношение м/у концентрациями донорных центров антимонида индия полученных при помощи облучения импульсами рубинового лазера для соответствующих кристаллографических путей (рис. 4). Самое время взаимодействия оптического излучения с антимонида индия и дает возможность связать наблюдаемые эффекты с механизмами своего поглощения оптического излучения (в этой ситуации с рассеянием света на связи 1 рис. 4).

Хотя тут не весьма понятен механизм образования дефектов в таких полупроводниках. При таком соотношении м/у энергией кванта и шириной запрещенной зоны любой квант может "порвать" 3-4 связки антимонида индия и 2-3 связи арсенида индия. Это к тому же соответствует температурной зависимости холливськои подвижности носителей в облученной области. Хотя, все-таки, как дать ответ на вопрос: по какой причине же появляются дефекты? На этот вопрос возможно ответить так. За время взаимодействия оптического излучения случается "опустошення" связей 1 (рис. 4). Ионы индия и сурьмы в области этой связи располагаются на минимальном расстоянии друг от друга. Весьма возможно, что "опустошения" соответствующих связей приводит к смещению раз ионов, отвечающих за эти связи. Они смещаются в область "меньшей" плотности. Так появляются дефекты. Даже если связать время "опустошения" связей с временем жизни неравновесных носителей (10-7 с.), То за это время ионы с энергией порядка ширины запрещенной зоны могут сместиться на расстояние, достаточное для образования дефекта. Чем более интенсивность возбуждения, тем более неравновесных дефектов образуется и тем длительное время они проживают. Такими дефектами при низких интенсивностях облучения могут быть виртуальные пары Френкеля, виртуальные дислокации (линейные дефекты, размерами более по 3-4 атома в соответствующем кристаллографическом направлении). Энергия активации и отжига этих дефектов сопоставима с энергией их образования, то есть порядка. Процесс первичного дефектообразования в кристаллах и связано с различной подвижностью атомов индия, сурьмы и мышьяка, атомы индия в решетке более подвижны, а в междоузлиях наименее подвижны, чем атомы сурьмы. Так, коэффициент самодиффузии атомов индия в антимониде индия при комнатной температуре на 3 порядка более, чем трубы [6]


Другие статьи по теме:
 Применение компьютерных технологий при обучении учащихся физике
 Ферромагнетики. Магнитный гистерезис. Применения ферромагнетизма. Природа ферромагнетизма
 Электризация тел. Закон сохранения электрического заряда. Закон Кулона
 Развитие взглядов на природу света. Формула Планка
 Что изучает физика

Добавить комментарий:

Введите ваше имя:

Комментарий:



•  Композиторы и ученые превратили генетический код человека в музыкальное произведение
Композиторы и ученые превратили генетический код человека в музыкальное произведение. Об этом сообщили в Королевском медицинском обществе Великобритании.

•  Ученые разработали метод ускорения и замедления роста новых кровеносных сосудов в организме человека
Ученые разработали метод ускорения и замедления роста новых кровеносных сосудов в организме, что может быть использовано для восстановительной медицины и в борьбе с распространением раковых опухолей, сообщается в статье, опубликованной в журнале Nature Medicine.

•  Ученые измерили скорость исчезновения планктона
Ученые установили, что количество морского фитопланктона – микроорганизмов, составляющих основу многих пищевых цепей, – непрерывно сокращается со скоростью около одного процента в год с начала XX века.